Η Samsung Electronics ανακοίνωσε το Σάββατο ότι υπέγραψε συμφωνία με την αμερικανική εταιρεία σχεδιασμού ημιαγωγών Broadcom για τη διεύρυνση της συνεργασίας τους στους τομείς των μνημών, της κατασκευής τσιπ κατά παραγγελία (foundry) και των προηγμένων τεχνολογιών συσκευασίας (advanced packaging), με τη συνολική αξία της συνεργασίας να εκτιμάται ότι θα ξεπεράσει τα 200 δισ. δολάρια έως το 2030.
Η εξασφάλιση μακροπρόθεσμων δεσμεύσεων παραγωγής από την Broadcom, μία από τις κορυφαίες εταιρείες στον σχεδιασμό εξειδικευμένων τσιπ Τεχνητής Νοημοσύνης (AI), αναμένεται να αυξήσει τη χρήση των προηγμένων μονάδων παραγωγής της Samsung, ενισχύοντας τη θέση της στον ανταγωνισμό για την προμήθεια ημιαγωγών AI.
«Η διευρυμένη συνεργασία αντικατοπτρίζει τη στρατηγική της Samsung να υποστηρίζει τους πελάτες της με ολοκληρωμένες τεχνολογίες ημιαγωγών, καλύπτοντας ένα ολοένα και πιο ευρύ φάσμα εφαρμογών Τεχνητής Νοημοσύνης και υπολογιστικών συστημάτων υψηλών επιδόσεων», ανέφερε η εταιρεία σε ανακοίνωσή της.
Η συμφωνία έρχεται σε μια περίοδο κατά την οποία οι μεγάλες τεχνολογικές εταιρείες αναπτύσσουν ολοένα και περισσότερο τα δικά τους εξειδικευμένα επιταχυντικά τσιπ AI, αντί να βασίζονται αποκλειστικά σε γενικής χρήσης επεξεργαστές γραφικών (GPU), γεγονός που αυξάνει τη ζήτηση για εξειδικευμένες συνεργασίες στον σχεδιασμό και την κατασκευή ημιαγωγών.
Το μνημόνιο συνεργασίας μεταξύ των δύο εταιρειών αναδεικνύει την προσπάθεια της Samsung να ενισχύσει τη θέση της στον τομέα των ημιαγωγών Τεχνητής Νοημοσύνης, διευρύνοντας τη μακροχρόνια συνεργασία της με την Broadcom, καθώς αυξάνεται η παγκόσμια ζήτηση για εξειδικευμένους επεξεργαστές AI.
Κατά την επόμενη πενταετία, η Broadcom θα αξιοποιήσει την τεχνογνωσία της στον σχεδιασμό ολοκληρωμένων κυκλωμάτων ειδικού σκοπού (ASICs), δηλαδή τσιπ που έχουν σχεδιαστεί για συγκεκριμένες εφαρμογές, σε συνδυασμό με τις προηγμένες δυνατότητες παραγωγής της Samsung.
Σύμφωνα με τη συμφωνία, οι νέας γενιάς επικοινωνιακοί επεξεργαστές της Broadcom, που προορίζονται για μεταφορά δεδομένων υψηλών ταχυτήτων, θα κατασκευάζονται με την τεχνολογία λιθογραφίας κάτω των 2 νανομέτρων της Samsung.
Παράλληλα, οι δύο εταιρείες θα συνεργαστούν στην ανάπτυξη της επόμενης γενιάς μνημών υψηλού εύρους ζώνης (HBM), οι οποίες αποτελούν βασικό στοιχείο για τις εφαρμογές Τεχνητής Νοημοσύνης.
Η συνεργασία εκτιμάται ότι θα ενισχύσει σημαντικά τη δραστηριότητα foundry της Samsung, καθώς η εταιρεία επιδιώκει να μειώσει την απόσταση που τη χωρίζει από τον παγκόσμιο ηγέτη του κλάδου, την TSMC, προσελκύοντας περισσότερους μεγάλους τεχνολογικούς πελάτες.
Τον περασμένο μήνα, ο συνδιευθύνων σύμβουλος της Samsung και επικεφαλής του τμήματος ημιαγωγών, Τζουν Γιανγκ-χιουν, αποκάλυψε ότι είχε συζητήσεις με τον διευθύνοντα σύμβουλο της Nvidia, Τζένσεν Χουάνγκ, σχετικά με συνεργασία στην επόμενη γενιά τεχνολογιών foundry, καθώς και για τις μελλοντικές μνήμες HBM4E και HBM5.
Η Samsung έχει δηλώσει ότι αναμένει να εξασφαλίσει επιπλέον παραγγελίες για παραγωγή τσιπ στα 2 νανόμετρα στο άμεσο μέλλον, έπειτα από επαφές με κορυφαίες εταιρείες τεχνολογίας. Υπενθυμίζεται ότι πέρυσι η εταιρεία υπέγραψε συμβόλαιο ύψους 16,5 δισ. δολαρίων για την κατασκευή λογικών τσιπ για την αυτοκινητοβιομηχανία ηλεκτρικών οχημάτων Tesla.
